【项目推荐】高热导率、耐高温、高压新兴材料—碳化硅(SiC)单芯片

项目简介

在碳化硅单晶生长领域，技术开发单位结合设计平台中的电磁耦合仿真设计软件模拟设计热场，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅（SiC）单晶，通过实际生长进行验证优化。同时建立低位错生长模型，结合理论模拟和生长实验，改进晶体生长的工艺参数，研制具有极低位错密度的单晶。在碳化硅（SiC）单晶加工领域，技术开发单位采用多线切割技术对碳化硅（SiC）晶体进行切片，使用物理研磨技术进行研磨、抛光，使用化学机械抛光技术和湿法化学清洗法清洗获得碳化硅（SiC）单晶衬底。

 

技术特点

碳化硅(SiC)功能材料采用国内外通用的物理气相传输（PVT）法生长，关键技术包括生长温度和温度梯度的控制技术、原材料纯化技术、化学机械抛光（CMP）技术等。

 

适用范围

可应用于变频家电、电源服务器、混合动力汽车和电动汽车、充电桩以及太阳能发电等领域，实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。